Micron запускае новы цэнтр апрацоўкі дадзеных SSD і Mass вырабляе прадукты NAND Flash Technology Nand Flash
Нядаўна Micron Technology Co., Ltd. абвясціла аб запуску прадуктаў Micron 9550 NVME SSD і 9 -га пакалення NAND Flash Technology Products для цэнтраў апрацоўкі дадзеных.На пасяджэнні абмену сродкамі масавай інфармацыі, якая адбылася 31 ліпеня, кіраўнік прадукту Micron прадставіў тэхнічныя параметры двух прадуктаў і заявіў, што 9550 SSD заснаваны на платформе GPU NVIDIA H100 і аптымізаваны для нагрузкі AI, асабліва з улікам выкарыстання вялікага паскаральнікаПамяць (BAM) для навучання графічнай сеткі (GNN).
Вялікія моўныя мадэлі (LLMS) патрабуюць высокіх паслядоўных нормаў чытання, у той час як графічныя нейронныя сеткі (GNN) патрабуюць высокай выпадковай прадукцыйнасці чытання.Рэпарцёр даведаўся на біржы сродкаў масавай інфармацыі, што Micron 9550 NVME SSD мае паслядоўную хуткасць чытання 14,0 ГБ/с і паслядоўную хуткасць запісу 10,0 ГБ/с, дасягнуўшы 67% паляпшэння прадукцыйнасці ў параўнанні з аналагічнымі SSD ў галіны.У параўнанні з аналагічнымі рашэннямі NAND на рынку, прадукты Micron's 9 -га пакалення NAND Flash Technology Products маюць прапускную здольнасць пісаць і прачытаць прапускную здольнасць, якая на 99% і на 88% вышэй.
Micron прадэманстраваў прадукцыйнасць 9550 SSD пры апрацоўцы розных нагрузак AI: пры выкарыстанні BAM для трэніровак GNN, сярэдняе спажыванне электраэнергіі SSD знізілася на 43%, а агульнае спажыванне энергіі сістэмы знізілася на 29%;Пры ўжыванні да захоўвання NVIDIA Magnum IO GPUDIRECT, спажыванне энергіі SSD зніжаецца на 81% за кожныя 1 ТБ перададзеных дадзеных;Пры ўжыванні да навучання MLPERF спажыванне энергіі SSD зніжаецца на 35%, а спажыванне энергіі сістэмы зніжаецца на 13%;Калі трэніроўкі Llama Llama Llama з Microsoft DeepSpeed, спажыванне энергіі SSD скарацілася на 21%.
Тэарэтычна, чым больш пластоў складаецца з чыпа NAND, тым вышэй яго эфектыўнасць уводу-вываду, больш хуткасць чытання і запісу, меншае спажыванне электраэнергіі і меншая фізічная прастора пры той жа ёмістасці.На пасяджэнні Micron Exchange Micron Дэніэл Лафмілер, дырэктар па кіраванні жыццёвым цыклам прадукту NAND і інжынірынгу прыкладанняў у аддзеле захоўвання Micron, адказаў на заклапочанасць журналістамі з нагоды слаёў стэка: "У сёмага пакалення Мікрона ёсць 176 слаёў, восьмае пакаленне NAND павялічылася да232 пласты, і NAND, які выпускаўся ў гэты час, дасягнуў 276 слаёў.Ён сказаў, што Micron займаецца даследаваннем некалькіх перадавых тэхналогій і чакае, што пласты NAND будуць працягваць павялічвацца, але як паменшыць спажыванне энергіі, павышэнне прадукцыйнасці і шчыльнасці чыпаў важней, чым проста патрабуе пластоў.
Вялікія моўныя мадэлі (LLMS) патрабуюць высокіх паслядоўных нормаў чытання, у той час як графічныя нейронныя сеткі (GNN) патрабуюць высокай выпадковай прадукцыйнасці чытання.Рэпарцёр даведаўся на біржы сродкаў масавай інфармацыі, што Micron 9550 NVME SSD мае паслядоўную хуткасць чытання 14,0 ГБ/с і паслядоўную хуткасць запісу 10,0 ГБ/с, дасягнуўшы 67% паляпшэння прадукцыйнасці ў параўнанні з аналагічнымі SSD ў галіны.У параўнанні з аналагічнымі рашэннямі NAND на рынку, прадукты Micron's 9 -га пакалення NAND Flash Technology Products маюць прапускную здольнасць пісаць і прачытаць прапускную здольнасць, якая на 99% і на 88% вышэй.
Micron прадэманстраваў прадукцыйнасць 9550 SSD пры апрацоўцы розных нагрузак AI: пры выкарыстанні BAM для трэніровак GNN, сярэдняе спажыванне электраэнергіі SSD знізілася на 43%, а агульнае спажыванне энергіі сістэмы знізілася на 29%;Пры ўжыванні да захоўвання NVIDIA Magnum IO GPUDIRECT, спажыванне энергіі SSD зніжаецца на 81% за кожныя 1 ТБ перададзеных дадзеных;Пры ўжыванні да навучання MLPERF спажыванне энергіі SSD зніжаецца на 35%, а спажыванне энергіі сістэмы зніжаецца на 13%;Калі трэніроўкі Llama Llama Llama з Microsoft DeepSpeed, спажыванне энергіі SSD скарацілася на 21%.
Тэарэтычна, чым больш пластоў складаецца з чыпа NAND, тым вышэй яго эфектыўнасць уводу-вываду, больш хуткасць чытання і запісу, меншае спажыванне электраэнергіі і меншая фізічная прастора пры той жа ёмістасці.На пасяджэнні Micron Exchange Micron Дэніэл Лафмілер, дырэктар па кіраванні жыццёвым цыклам прадукту NAND і інжынірынгу прыкладанняў у аддзеле захоўвання Micron, адказаў на заклапочанасць журналістамі з нагоды слаёў стэка: "У сёмага пакалення Мікрона ёсць 176 слаёў, восьмае пакаленне NAND павялічылася да232 пласты, і NAND, які выпускаўся ў гэты час, дасягнуў 276 слаёў.Ён сказаў, што Micron займаецца даследаваннем некалькіх перадавых тэхналогій і чакае, што пласты NAND будуць працягваць павялічвацца, але як паменшыць спажыванне энергіі, павышэнне прадукцыйнасці і шчыльнасці чыпаў важней, чым проста патрабуе пластоў.