Buy with confidence from
omotronic.com
STB33N60DM2 is warrantied and traceable.
STB33N60DM2
| вытворца Частка нумар | STB33N60DM2 |
|---|---|
| вытворца | STMicroelectronics |
| Частка апісання | MOSFET N-CH 600V 24A |
| катэгорыя | дыскрэтныя паўправаднікі |
| лісткі | ST(B,P,W)33N60DM2 |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Свінец / Адпавядае RoHS |
| фота Стан | 8 pcs Stock |
| карабель З | Hong Kong |
| перасылка Шлях | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- Акцыя:8
- Мінімальны заказ:1
- Кратна:1
Запытаць прапанову
Увядзіце STB33N60DM2
Мы можам паставіць STB33N60DM2, выкарыстоўвайце запыт Quote форму для запыту STB33N60DM2 PIRCE і свінцу time.omotronic.com прафесійны дыстрыб'ютар электронных кампанентаў.З 3+ мільёнаў ліній элементаў даступных электронных кампанентаў могуць грузіць у кароткія тэрміны, больш за 250 тысяч дэталяў электронных кампанентаў на складзе адразу ж дастаўкі, якая можа ўключаць у сябе частка нумар STB33N60DM2 .The кошт і час свінцу для STB33N60DM2 ў залежнасці ад колькасціПатрабуецца, наяўнасць і склад location.Contact нас сёння і наш прадстаўнік продажаў прадаставіць вам цану і дастаўку на часткі # STB33N60DM2 .Мы з нецярпеннем чакаю працы з вамі, каб усталяваць доўгатэрміновыя адносіны супрацоўніцтва
спецыфікацыі
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Макс) | ±25V |
|---|---|---|---|
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | D2PAK |
| серыя | MDmesh™ DM2 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 190W (Tc) | ўпакоўка | Original-Reel® |
| Упакоўка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | іншыя назвы | 497-16354-6 |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) | тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 100V | Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 600V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Водгукі
- 0 Водгукі
- 5 Stars
0%
- 4 Stars
0%
- 3 Stars
0%
- 2 Stars
0%
- 1 Stars
0%
Сумежныя прадукты STB33N60DM2
-
ВыяваЧастка нумарвытворцыапісанневыгляд -
STB31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A D2PAKRFQ -
STB30NF20LSTMicroelectronicsMOSFET N CH 200V 30A D2PAKRFQ -
STB30N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAKRFQ -
STB33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 26A D2PAKRFQ -
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 26ARFQ -
STB36NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 30A D2PAKRFQ -
STB34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A D2PAKRFQ -
STB30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A D2PAKRFQ -
STB32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A D2PAKRFQ -
STB30NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 30A D2PAKRFQ -
STB35NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 40A D2PAKRFQ -
STB30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A D2PAKRFQ -
STB35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28ARFQ -
STB33N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A D2PAKRFQ -
STB34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A D2PAKRFQ -
STB34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 28A D2PAKRFQ -
STB30NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 27A D2PAKRFQ -
STB35N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 27A D2PAKRFQ -
STB30NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 35A D2PAKRFQ -
STB32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A D2PAKRFQ
Ключавыя словы STB33N60DM2
- STMicroelectronics STB33N60DM2
- Ліст дадзеных STB33N60DM2
- STB33N60DM2 Datasheet
- STB33N60DM2 PDF Datasheet
- Спампаваць STB33N60DM2 Datasheet
- STB33N60DM2 Image
- STB33N60DM2 частка
- STMicroelectronics STB33N60DM2